U盘存储卡闪存(FLASH)存储介质的写入寿命你必须知道的！

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标题:U盘存储卡闪存(FLASH)存储介质的写入寿命你必须知道的！
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闪存介质不存在机械部件，所以抗震性能较好，但闪存介质最大的弱点在于Flash芯片的写入寿命，目前，闪存芯片每个存储单元写入寿命为3000次-10万次不等。闪存发生故障时，若仅仅为主控芯片损坏或烧毁，那么位于Flash芯片内的数据是安全的。但Flash存储机制与机械硬盘不同，机械硬盘在物理层采用顺序存取，即从0扇区顺序往后写入，那么只要在逻辑上连续的数据，在物理层也是连续写入的。而Flash芯片由于存在读写寿命，为避免对某一存储单元反复读写引起损坏，闪存介质在主控中采用均衡算法，即保证每个存储单元都能平均分配写入次数，如此一来，即使在逻辑层是连续的文件，在Flash芯片的存储块中也是&ldquo;随机&rdquo;分布的，这一&ldquo;随机&rdquo;算法由主控芯片决定。由于不同闪存介质采用的主控芯片算法不同，有些芯片甚至采用加密算法，一旦主控损坏，即可能导致Flash内数据无法顺利重组。
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